Penjualan & dukungan :
Permintaan Penawaran
|
Detail produk:
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
|
| Kelas:: | Mo80Cu20, Mo75C25, Mo70Cu30, Mo60Cu40, Mo50Cu50 | Permukaan:: | Kekasaran permukaan rendah |
|---|---|---|---|
| Dimensi:: | Berdasarkan persyaratan Pelanggan | Plating:: | Pelapisan nikel dan pelapis emas |
| Bentuk:: | Shims atau lembaran atau bagian buatan | ||
| Cahaya Tinggi: | elemen molibdenum,mocu |
||
Hermetikitas Yang Sangat Baik Melalui Pendingin Nikel Dan Emas Plating Mocu Untuk Amplifier Rf
Deskripsi:
Dengan perkembangan teknologi, ada lebih banyak kebutuhan untuk daya yang lebih tinggi dalam komponen mikroelektronika yang lebih kecil. Ini juga meningkatkan persyaratan untuk pembuangan panas.
Untuk komponen sensitif, menggunakan komposit logam seperti bahan tembaga molibdenum adalah pilihan yang bijaksana.
Studi kasus:
Untuk sistem radar, pelanggan kami membutuhkan pendingin elektronik berbentuk khusus untuk salurannya.
Dimensi bagian ini adalah sekitar 0,2 mm ketebalan, lebar 4,5 mm, dan panjang 6,8 mm.
Untuk mencapai konduktivitas termal yang baik, kami menawarkan 70Mo30Cu untuk aplikasinya.
Heat sink tembaga molibdenum berlapis nikel berdasarkan spesifikasi dalam SAE AMS-C26074 dan berlapis emas berdasarkan
spesifikasi Mil-G-45204C.
Properti Produk:
| Kelas | Konten Mo | Kepadatan g / cm 3 | Koefisien termal Ekspansi × 10 -6 (20 ℃) | Konduktivitas termal W / (M · K) |
| 70MoCu | 70 ± 2% | 9.8 | 7 | 200 (25 ℃) / 196 (100 ℃) |
| 60MoCu | 60 ± 2% | 9.66 | 7.5 | 222 (25 ℃) / 217 (100 ℃) |
| 50MoCu | 50 ± 2% | 9.5 | 10.2 | 250 (25 ℃) / 220 (100 ℃) |
Aplikasi:
Tembaga molibdenum telah digunakan di berbagai bidang seperti opto-elektronik, aplikasi frekuensi tinggi, elektronik daya dan mikro-elektronik.
Di sektor ini, mereka sering digunakan dalam komponen di bawah ini seperti:
Transistor GaN / GaAs
Paket keramik digunakan dalam bidang gelombang mikro dan RF
Komponen di stasiun basis radio telekomunikasi
LED daya tinggi
Modul IGBT untuk EV / HEV dan transformer stasioner
